比亚迪引领新能源车关键领域进入自主知识产权时代

而在更早的2005年，比亚迪的IGBT研发团队便已组建，隶属比亚迪第六事业部。这个事业部承担着“集成电路及功率器件的开发、整合性晶圆制造服务的生产任务”。

请注意“整合性晶圆制造服务”。在2008年，比亚迪以1.71亿元的价格，收购了宁波中纬的6英寸晶圆产线。当时舆论还认为，比亚迪或将借助中纬的芯片生产能力，基于自家的手机、电池业务发展自有的消费电子用半导体。但事实证明这更像是为车载功率半导体所作的准备。

2009年，比亚迪的第一代IGBT芯片，正式研发成功，通过了中国电器工业协会电力电子分会的科技成果鉴定。国外的技术垄断，在此时便被比亚迪初步打破了。随后，比亚迪先后推出的各代IGBT产品逐步搭载在自家新能源汽车上。

不过，国外早在上世纪80年代便开启了对IGBT的研究生产，要在产品上追上国外先进水平，显然需要更多时间。

因此，中途比亚迪的IGBT芯片又历经8年，多次迭代、先后推出多款产品。其间，比亚迪还与上海先进半导体在2015年达成了战略合作，以利用后者的半导体制造技术。

终于，比亚迪的IGBT4.0这一具有标杆性意义的产品研发成功、投产、装车。

IGBT 4.0，便被用于比亚迪新一代主力车型——百公里加速时间达到4.5秒的唐。这辆车每一次狂暴的动力输出背后，都有这枚比亚迪自研的IGBT的功劳。

当然，技术是不断进步的。此前，国外IGBT已经经历了六次技术迭代，功率半导体基础的材料，也从硅(Si)、砷化镓(GaAs) ，进化到了碳化硅(SiC)。基于碳化硅打造的功率半导体，更能耐高温，可以承受更高的电压——这样，原本耐压能力不强的MOSFET，在用上碳化硅过后，能够支持的电压也能与现今车用的IGBT媲美。

而比亚迪已经研发出了基于碳化硅的MOSFET，明年便会推出搭载这一器件的电动车，车辆的电驱性能还会提升10%。往后，比亚迪计划在其新能源车产品中，逐步用碳化硅基的功率半导体替代硅基IGBT。

国外巨头统治IGBT市场 中国如何突破

实际上，比亚迪这样在新能源车用IGBT上取得突破的选手，在国内IGBT产业确实是凤毛麟角。

IGBT芯片按工作电压，大致分为1700V以下、1700V-3300V、3300V-6500V三类。

其中，工作电压等级在3300-6500V的IGBT主要对应发电、电力传输行业，1700-3300V的IGBT在高铁等轨道交通领域应用较多。

而1700V以下用途中，发展势头最猛的新兴产业，正是新能源车。

然而，目前IGBT的主要生产厂家，无一例外是国外公司，英飞凌、三菱、富士、安森美、德仪、ABB等霸占市场。